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IXFN32N120P
50
Fig. 7. Input Admittance
70
Fig. 8. Transconductance
45
40
35
60
50
T J = - 40oC
25oC
30
25
20
15
T J = 125oC
25oC
- 40oC
40
30
20
125oC
10
10
5
0
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
100
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
90
80
70
60
50
14
12
10
8
V DS = 600V
I D = 16A
I G = 10mA
40
30
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
20
10
0
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
10,000
Ciss
100
25μs
100μs
10
1,000
Coss
1
1ms
10ms
100ms
100
f = 1 MHz
Crss
0.1
T J = 150oC
Tc = 25oC
Single Pulse
DC
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
10,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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